氧化锑掺杂贫Ti钛酸锶钡陶瓷的介电性能及缺陷行为

采用固相法制备Sb2O3掺杂的贫Ti钛酸锶钡陶瓷,通过SEM、XRD和LCR测试系统研究其显微结构及介电性能随非化学计量比及Sb2O3含量的变化.结果表明:随着δ值增大,(Ba0.75Sr0.25)Ti1-δO3-2δ陶瓷由典型立方钙钛矿结构单相固溶体转变为多相化合物,而(Ba0.75Sr0.25)Ti0.998O2.996陶瓷随Sb2O3掺杂量增加始终为单相固溶体.由VTi″″及VO??引起的ABO3型钙钛矿晶胞畸变导致(Ba0.75Sr0.25)Ti1-δO3-2δ陶瓷随δ值增大居里温度降低且相对介电常数增高.弹性偶极子VO??的定向引起畴壁钉扎而导致其介电损耗降低.(Ba0.75Sr0....

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Published in:中国有色金属学报(英文版) Vol. 27; no. 12; pp. 2656 - 2662
Main Authors: 张晨, 凌志新, 简刚, 陈方旭
Format: Journal Article
Language:Chinese
Published: 江苏科技大学江苏省先进焊接技术重点实验室,镇江,212003 2017
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Description
Summary:采用固相法制备Sb2O3掺杂的贫Ti钛酸锶钡陶瓷,通过SEM、XRD和LCR测试系统研究其显微结构及介电性能随非化学计量比及Sb2O3含量的变化.结果表明:随着δ值增大,(Ba0.75Sr0.25)Ti1-δO3-2δ陶瓷由典型立方钙钛矿结构单相固溶体转变为多相化合物,而(Ba0.75Sr0.25)Ti0.998O2.996陶瓷随Sb2O3掺杂量增加始终为单相固溶体.由VTi″″及VO??引起的ABO3型钙钛矿晶胞畸变导致(Ba0.75Sr0.25)Ti1-δO3-2δ陶瓷随δ值增大居里温度降低且相对介电常数增高.弹性偶极子VO??的定向引起畴壁钉扎而导致其介电损耗降低.(Ba0.75Sr0.25)Ti0.998O2.996陶瓷的相对介电常数、介电常数最大值及居里温度均随着Sb2O3掺杂量增加显著降低而其介电损耗却随Sb2O3掺杂量的增加而增大.
ISSN:1003-6326
DOI:10.1016/S1003-6326(17)60294-2