Direct probing of semiconductor barium titanate via electrostatic force microscopy Sondagem direta de titanato de bário semicondutorpor meio de microscopia de força eletrostática

• Published in: Cerâmica (São Paulo) Vol. 53; no. 326; pp. 200 - 204
• Main Authors: S. M. Gheno, H. L. Hasegawa, P. I. Paulin Filho
• Format: Magazine Article
• Language: English
• Published: Associação Brasileira de Cerâmica 01-06-2007
• Subjects: barium titanate; barreiras; barriers; electric potential; electrostatic force microscopy; microscopia de força eletrostática; potencial elétrico; titanato de bário
• ISSN: 0366-6913; 1678-4553
• DOI: 10.1590/S0366-69132007000200015

Electrostatic force microscopy (EFM) was used to directly probe surface potential in doped barium titanate semiconducting ceramics. EFM measurements were performed using noncontact scans at a constant tip-sample separation of 75 nm with varied bias voltages applied to the sample. The applied voltage was mapped up to 10 V and the distribution of potential across the sample showed changes in regions that matched the grain boundaries, displaying a constant barrier width of 145.2 nm.A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm.