辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究

• Published in: 核技术 Vol. 42; no. 5; p. 050501
• Main Authors: 韩冲, 崔兴柱, 梁晓华, 梁红伟, 夏晓川, 杨存, 叶鑫, 唐吉龙, 王登魁, 魏志鹏
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室 长春 130022 10-05-2019; 中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049%大连理工大学 微电子学院 大连 116024%长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室 长春 130022; 中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049; 中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049%中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049%中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049
• Subjects: 电学特性; Detector; Electrical properties; Energy resolution; γ射线; 能量分辨率; 4H-SiC; 探测器; 肖特基二极管; Schottky diode; γ-rays
• ISSN: 0253-3219
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.050501

TL814; 碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料.为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响.利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验.经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0~120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显.同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化.