Dielectric behavior of La1-xCaxMnO3 (0.4 ≤ x ≤ 0.5)

In this work the dielectric behavior of semiconducting La-manganites in an intermediate Ca-doping regime is studied. Ceramic samples were prepared by conventional solid-state reaction, using elemental oxides as starting reactants. A chemical, structural and microstructural characterization of the pr...

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Published in:Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (1983) Vol. 45; no. 3; pp. 163 - 168
Main Authors: Fondado, A., Mira, J., Botta, P. M., Rivas, J.
Format: Journal Article
Language:English
Published: Elsevier 2006
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Description
Summary:In this work the dielectric behavior of semiconducting La-manganites in an intermediate Ca-doping regime is studied. Ceramic samples were prepared by conventional solid-state reaction, using elemental oxides as starting reactants. A chemical, structural and microstructural characterization of the prepared manganites was performed by iodometric titrations, X-ray diffraction and scanning electron microscopy, respectively. The magnetic susceptibility and electrical resistivity as a function of temperature were also measured. The complex dielectric permittivity of the samples was determined as a function of frequency and temperature. Very high values of dielectric constant in a wide frequency and temperature range were observed for all the synthesized samples. Moreover, an increase of the dielectric constant at temperatures close to chargeorder or metal-insulator transition is reported.En este trabajo se estudia el comportamiento dieléctrico de manganitas de La dopadas con Ca en un rango de composición cercano a 0.5. Se prepararon muestras cerámicas por el método de reacción en estado sólido, utilizando los óxidos elementales como reactivos. Los materiales obtenidos fueron caracterizados química, estructural y microestructuralmente mediante titulaciones iodométricas, difracción de rayos X y microscopía electrónica de barrido, respectivamente. Se hicieron medidas de susceptibilidad magnética y resistividad eléctrica en función de la temperatura. Además se determinó la permitividad dieléctrica compleja de las muestras sintetizadas en función de la frecuencia y la temperatura. Se observaron valores muy elevados de la constante dieléctrica en un amplio rango de frecuencias y temperaturas para todos los materiales obtenidos. También se encontró un aumento de la constante dieléctrica a temperaturas cercanas a las de las transiciones de orden de carga o metal-aislante sufridas por estos materiales.
ISSN:0366-3175
DOI:10.3989/cyv.2006.v45.i3.298