具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

O472; 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能....

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Published in:量子电子学报 Vol. 39; no. 4; pp. 583 - 590
Main Authors: 张傲翔, 王瑶, 王梦真, 魏士钦, 王芳, 刘玉怀
Format: Journal Article
Language:Chinese
Published: 郑州大学产业技术研究院有限公司,河南郑州450001 2022
郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001%郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001
郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001%郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001
郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001
Subjects:
激光技术
深紫外激光二极管
空穴泄露
AlGaN
M形空穴阻挡层
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Abstract O472; 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能.
AbstractList O472; 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能.
Author 王瑶
王芳
魏士钦
王梦真
张傲翔
刘玉怀
AuthorAffiliation 郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001%郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001;郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001%郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001;郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001;郑州大学产业技术研究院有限公司,河南郑州450001
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