一种应用分段式电容阵列的20 MS/s 10-bit SAR ADC

TN402; 设计了一个10位分辨率,20 MS/s采样率的逐次逼近型模拟数字转换器(SAR ADC).该电路通过采用分段式电容阵列设计,缩短了量化过程中高位电容翻转后所需要的稳定时间,从而提高了量化速度.此外,还提出了一种新颖、高效的比较器校准方法,以较低的成本实现了比较器失调电压的抑制.该ADC芯片基于180 nm CMOS工艺设计制造,核心面积为0.213 5 mm2.实际测试结果表明,在1.8 V电源电压、20 MS/s采样频率下,该ADC的信号噪声失真比(SNDR)达到了 58.24 dB....

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Published in:电子技术应用 Vol. 49; no. 10; pp. 53 - 58
Main Authors: 崔海涛, 张继, 陈玉蓉, 胡伟波, 李超润
Format: Journal Article
Language:Chinese
Published: 南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300350%中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214063%北京大学深圳研究生院,广东深圳 518055 2023
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Description
Summary:TN402; 设计了一个10位分辨率,20 MS/s采样率的逐次逼近型模拟数字转换器(SAR ADC).该电路通过采用分段式电容阵列设计,缩短了量化过程中高位电容翻转后所需要的稳定时间,从而提高了量化速度.此外,还提出了一种新颖、高效的比较器校准方法,以较低的成本实现了比较器失调电压的抑制.该ADC芯片基于180 nm CMOS工艺设计制造,核心面积为0.213 5 mm2.实际测试结果表明,在1.8 V电源电压、20 MS/s采样频率下,该ADC的信号噪声失真比(SNDR)达到了 58.24 dB.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.233783