一种新型自毁芯片监测和执行电路的设计

一种新型自毁芯片监测和执行电路的设计

TN409; 针对当前自毁技术中,自毁监测方式单一且自毁执行较长和自毁不彻底、不稳定导致自毁成功率较低的问题,设计了一种同时具备自毁实时监测和执行的电路系统.该电路系统设计了封装拆卸和上电时序两种自毁监测方式,使自毁监测的方式更加多样,提高结果的准确性.同时利用MOS管作为开关特性,来减少自毁执行的时间.实验结果表明,该电路系统在3.3V的供电电压且钽电容存储电压为20 V时,可以通过自毁监测电路对工作芯片进行实时的监测,同时经过测试表明,从监测到自毁信号到自毁执行开始,需要时间为0.28 ms....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:电子技术应用 Vol. 48; no. 2; pp. 23 - 27
Main Authors: 胡长征, 马伟, 高清运, 胡伟波
Format: Journal Article
Language:Chinese
Published: 南开大学电子信息与光学工程学院,天津300350 2022
Subjects:
自毁芯片;实时自毁监测;自毁行
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:TN409; 针对当前自毁技术中,自毁监测方式单一且自毁执行较长和自毁不彻底、不稳定导致自毁成功率较低的问题,设计了一种同时具备自毁实时监测和执行的电路系统.该电路系统设计了封装拆卸和上电时序两种自毁监测方式,使自毁监测的方式更加多样,提高结果的准确性.同时利用MOS管作为开关特性,来减少自毁执行的时间.实验结果表明,该电路系统在3.3V的供电电压且钽电容存储电压为20 V时,可以通过自毁监测电路对工作芯片进行实时的监测,同时经过测试表明,从监测到自毁信号到自毁执行开始,需要时间为0.28 ms.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.211819