Etude analytique d'une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)

Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombina...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Revue des énergies renouvelables Vol. 11; no. 2; pp. 259 - 266
Main Authors:	BEN SLIMANE, H, HELMAOUI, A
Format:	Journal Article
Language:	English French
Published:	Alger Centre de développement des énergies renouvelables 30-06-2008 Renewable Energy Development Center (CDER)
Subjects:	cellule solaire à hétérojonction Cellules solaires. Cellules photoélectrochimiques Conversion photovoltaïque Energie Energie naturelle Energie solaire hétérojonction graduelle recombinaison Sciences appliquees Sciences exactes et technologie Semiconducteur III-V Epaisseur hélérojonction graduelle Arséniure de gallium AlGaAs Bande interdite Rendement Hétérostructure GaAs Aluminium Gallium Arséniure Mixte Conversion photovoltaïque Cellule solaire Jonction graduelle Charge espace Niveau énergie Recombinaison Cellule solaire à hétérojonction AlxGa1-xAs
Online Access:	Get full text
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

Description
Summary:	Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombinaison dans une telle cellule est discuté, ainsi que l’influence de ce courant sur les caractéristiques photovoltaïques. L’épaisseur de la couche à bande interdite graduelle n (AlxGa1- xAs) a été étudié, il est de l’ordre de 800 à 900 Å.
ISSN:	1112-2242 2716-8247
DOI:	10.54966/jreen.v11i2.75